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BTS282Z E3230、BTS282ZE3230AKSA2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BTS282Z E3230 BTS282ZE3230AKSA2

描述 Infineon TEMPFET™ MOSFET with Thermal Switch The Infineon TEMPFET™ is a logic level N-channel power MOSFET with an integrated on-chip thermal sensor which will operate when the chip temperature exceeds 160°C. The anode and cathode of the temperature sensing thyristor accessible and isolated from the power MOSFET. MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282ZE3230AKSA2, 80 A, Vds=49 V, 7引脚 TO-220封装

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 7 7

封装 TO-220-7 TO-220-7

额定电压(DC) 49.0 V -

额定电流 1.70 A -

通道数 1 1

漏源极电阻 6.5 mΩ 5.8 mΩ

耗散功率 300 W 300 W

输入电容 4.80 nF -

栅电荷 232 nC -

漏源极电压(Vds) 49 V 49 V

漏源击穿电压 49 V 49 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A

上升时间 37 ns 37 ns

输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)

下降时间 36 ns 36 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - 7

极性 - N-CH

阈值电压 - 1.2 V

长度 10 mm 10 mm

宽度 4.4 mm 4.4 mm

高度 15.65 mm 15.65 mm

封装 TO-220-7 TO-220-7

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -