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CY7C185-35VC、IDT7164S35Y、IDT7164S35YG8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C185-35VC IDT7164S35Y IDT7164S35YG8

描述 8K ×8静态RAM 8K x 8 Static RAMCMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位) CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)IC SRAM 64Kbit 35NS 28SOJ

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 BSOJ-28 SOJ BSOJ-28

安装方式 Surface Mount - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

时钟频率 35.0 GHz - -

存取时间 35.0 ns - -

内存容量 64000 B - -

封装 BSOJ-28 SOJ BSOJ-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead - 无铅

ECCN代码 - - EAR99