锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI4450DY、SI4450DY-T1、SI4450DY-T1-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4450DY SI4450DY-T1 SI4450DY-T1-E3

描述 60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFETTrans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8Pin SOICMOSFET 60V 7.5A 2.5W

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8 SO-8

引脚数 - 8 -

通道数 1 - -

漏源极电阻 20 mΩ 24.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.5 W 2.50 W -

漏源击穿电压 60 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.50 A -

上升时间 8 ns - -

下降时间 32 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm

封装 SO-8 SO-8 SO-8

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant