PSMN1R5-30BLE、SQM120N03-1M5L-GE3对比区别

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型号 PSMN1R5-30BLE SQM120N03-1M5L-GE3

描述 NXP  PSMN1R5-30BLE  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 VVISHAY  SQM120N03-1M5L-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

引脚数 3 3

封装 TO-263 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.0013 Ω 0.0014 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 401 W 375 W

阈值电压 1.7 V 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

封装 TO-263 TO-263-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

产品生命周期 Unknown -

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

含铅标准 - Lead Free