KSC838CYTA

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

Trans RF BJT NPN 30V 0.03A 3Pin TO-92 Ammo

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 30 mA 250MHz 250 mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 30V 30MA TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 30V 0.03A 3-Pin TO-92 Ammo

KSC838CYTA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 30.0 mA

耗散功率 250 mW

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 12V

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSC838CYTA引脚图与封装图

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