
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 350 mW
增益频宽积 50 MHz
集电极击穿电压 35.0 V
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V
最大电流放大倍数hFE 900
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KST5088MTF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KST5088MTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 30V 50mA 350mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 | |
型号: MMBT5088LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 30V 50mA 0.3W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5088LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE | KST5088MTF和MMBT5088LT1G的区别 | |
型号: SMMBT5088LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 NPN 300mW | 功能相似 | MMBT5088L: NPN 双极晶体管 | KST5088MTF和SMMBT5088LT1G的区别 |