KSC2316OTA

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 3Pin TO-92L Ammo

Bipolar BJT Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 120V 800MA TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 3-Pin TO-92L Ammo

KSC2316OTA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 800 mA

极性 NPN

耗散功率 0.9 W

增益频宽积 120 MHz

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 80 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 900 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 8 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSC2316OTA引脚图与封装图

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