KBL610G
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
主动器件
KBL610G中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.1V @6A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 180 A
正向电压Max 1.1V @6A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 SIP-4
外形尺寸
高度 16.3 mm
封装 SIP-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
KBL610G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号KBL610G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KBL610G 品牌： GeneSiC Semiconductor 封装： 4-SIP | 当前型号 | 桥式整流器 1000V 6A Bridge Rectifier | 当前型号 |
| 型号： KBU610 品牌： Yangzhou Yangjie Electronic 封装： | 功能相似 | Bridge Rectifier Diode, 6A, 1000V VRRM, | KBL610G和KBU610的区别 |
| 型号： BR610 品牌： 乐山无线电 封装： | 功能相似 | 6A BRIDGE RECTIFIERS | KBL610G和BR610的区别 |