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KSC5502TU
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
KSC5502TU中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 12 @500mA, 2.5V

额定功率Max 50 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

KSC5502TU引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
KSC5502TU Fairchild 飞兆/仙童 NPN平面硅晶体管 NPN Planar Silicon Transistor 搜索库存
替代型号KSC5502TU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KSC5502TU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220-3 NPN 50000mW

当前型号

NPN平面硅晶体管 NPN Planar Silicon Transistor

当前型号