KSH31CTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSH31CTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 15.0 W
集电极击穿电压 100 V
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 1.56 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSH31CTM引脚图与封装图
暂无图片
替代型号KSH31CTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSH31CTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 NPN 100V 3A 15W | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 100V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： MJD31CTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 NPN 100V 3A 1560mW | 类似代替 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSH31CTM和MJD31CTF的区别 |
| 型号： KSH31CTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 NPN 100V 3A 1560mW | 类似代替 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSH31CTM和KSH31CTF的区别 |
| 型号： MJD31CT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 NPN 100V 3A 15000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS MJD31CT4 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 15 W, 3 A, 10 hFE | KSH31CTM和MJD31CT4的区别 |