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KSD526O
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

Power Amplifier Applications

• Complement to KSB596


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Bulk


KSD526O中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

极性 NPN

耗散功率 30 W

增益频宽积 8 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 70 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSD526O引脚图与封装图
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