KSC5305DFTTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSC5305DFTTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 75 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 8 @2A, 1V
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSC5305DFTTU引脚图与封装图
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在线购买KSC5305DFTTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSC5305DFTTU | Fairchild 飞兆/仙童 | 高压高速功率开关应用 High Voltage High Speed Power Switch Application | 搜索库存 |
替代型号KSC5305DFTTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSC5305DFTTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 NPN 400V 5A 75000mW | 当前型号 | 高压高速功率开关应用 High Voltage High Speed Power Switch Application | 当前型号 |
| 型号： KSC5305DTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 NPN 75W | 类似代替 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSC5305DFTTU和KSC5305DTU的区别 |