KSH210TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSH210TM中文资料参数规格
技术参数
频率 65 MHz
极性 PNP
耗散功率 1.4 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
额定功率Max 1.4 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
KSH210TM引脚图与封装图
暂无图片
替代型号KSH210TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSH210TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DPAK PNP 1400mW | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 25V 5A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： MJD210TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO252 PNP -40V -5A 1400mW | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 25V 5A 3Pin2+Tab DPAK T/R | KSH210TM和MJD210TF的区别 |
| 型号： KSH210TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 PNP -25V -5A 1400mW | 类似代替 | Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSH210TM和KSH210TF的区别 |