锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

KSD2012YYDTU

KSD2012YYDTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
KSD2012YYDTU中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 25 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 320

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220F-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220F-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSD2012YYDTU引脚图与封装图
暂无图片
在线购买KSD2012YYDTU
型号 制造商 描述 购买
KSD2012YYDTU Fairchild 飞兆/仙童 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial 搜索库存