KSE702S
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSE702S中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 40000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V
额定功率Max 40 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSE702S引脚图与封装图
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在线购买KSE702S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSE702S | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans Darlington PNP 80V 4A 3Pin3+Tab TO-126 Bulk | 搜索库存 |
替代型号KSE702S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSE702S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 PNP 40000mW | 当前型号 | Trans Darlington PNP 80V 4A 3Pin3+Tab TO-126 Bulk | 当前型号 |
| 型号： BD680 品牌： 意法半导体 封装： SOT32 PNP -80V -4A 40000mW | 功能相似 | PNP 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。 | KSE702S和BD680的区别 |
| 型号： BD680G 品牌： 安森美 封装： TO-225 PNP -80V -4A 40000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BD680G 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 40 W, -4 A, 750 hFE | KSE702S和BD680G的区别 |
| 型号： MJE702G 品牌： 安森美 封装： TO-225-3 PNP -80V -4A 40000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJE702G 双极晶体管 | KSE702S和MJE702G的区别 |