KSB1151YSTSTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSB1151YSTSTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 160 @2A, 1V
额定功率Max 1.3 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSB1151YSTSTU引脚图与封装图
暂无图片
在线购买KSB1151YSTSTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSB1151YSTSTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans GP BJT PNP 60V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail | 搜索库存 |
替代型号KSB1151YSTSTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSB1151YSTSTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 PNP -60V -5A | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 60V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail | 当前型号 |
| 型号： KSB1151YSTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 PNP -60V -5A 1300mW | 完全替代 | PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3 | KSB1151YSTSTU和KSB1151YSTU的区别 |
| 型号： KSB1151YSTSTU_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | PNP Epitaxial Silicon Transistor | KSB1151YSTSTU和KSB1151YSTSTU_NL的区别 |