KSB1015YTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSB1015YTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 25 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 2.54 mm
高度 15.87 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSB1015YTU引脚图与封装图
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在线购买KSB1015YTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSB1015YTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
替代型号KSB1015YTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSB1015YTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO220 PNP -60V -3A 25000mW | 当前型号 | Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 |
| 型号： KSB1366YTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO220 PNP -60V -3A 2W | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil | KSB1015YTU和KSB1366YTU的区别 |
| 型号： SB101 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD, 1000/RAIL | KSB1015YTU和SB101的区别 |