KSC5026MOS
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSC5026MOS中文资料参数规格
技术参数
频率 15 MHz
额定电压DC 800 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 800 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 5V
额定功率Max 20 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSC5026MOS引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSC5026MOS | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 20 W 800 V 1.5 A 通孔 硅 晶体管 - TO-126-3 | 搜索库存 |