KSH45H11TF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSH45H11TF中文资料参数规格
技术参数
频率 40 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
极性 PNP
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
宽度 6.1 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSH45H11TF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买KSH45H11TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSH45H11TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Power Bipolar Transistor, 8A IC, 80V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2Pin, DPAK-3 | 搜索库存 |
替代型号KSH45H11TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSH45H11TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 PNP -80V -8A 1750mW | 当前型号 | Power Bipolar Transistor, 8A IC, 80V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2Pin, DPAK-3 | 当前型号 |
| 型号： KSH45H11TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 PNP -80V -8A 1750mW | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 80V 8A 3Pin2+Tab DPAK T/R | KSH45H11TF和KSH45H11TM的区别 |
| 型号： MJD45H11TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 NPN -80V -8A 1750mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD45H11TM 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 1.75 W, -8 A, 40 hFE | KSH45H11TF和MJD45H11TM的区别 |
| 型号： MJD45H11TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 PNP -80V -8A 1750mW | 类似代替 | Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSH45H11TF和MJD45H11TF的区别 |