KSD2012GTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSD2012GTU中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 25 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 320
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 2.54 mm
高度 15.87 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSD2012GTU引脚图与封装图
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在线购买KSD2012GTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSD2012GTU | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
替代型号KSD2012GTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSD2012GTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO220 NPN 60V 3A 25000mW | 当前型号 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 |
| 型号： KSD1406GTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220F-3 NPN 60V 3A | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 60V 3A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | KSD2012GTU和KSD1406GTU的区别 |