KSH2955TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSH2955TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSH2955TM引脚图与封装图
暂无图片
替代型号KSH2955TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSH2955TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 PNP -60V -10A 1750mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil | 当前型号 |
| 型号： MJD2955TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO252 PNP -60V -10A 1750mW | 类似代替 | Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSH2955TM和MJD2955TF的区别 |
| 型号： KSH2955TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 PNP -60V -10A 1750mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 60V 10A 3Pin2+Tab DPAK T/R | KSH2955TM和KSH2955TF的区别 |
| 型号： MJD2955T4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel -60V -10A 1750mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJD2955T4G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新 | KSH2955TM和MJD2955T4G的区别 |