
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
耗散功率 1300 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 160 @2A, 1V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSB1151YSTU | Fairchild 飞兆/仙童 | PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSB1151YSTU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-126 PNP -60V -5A 1300mW | 当前型号 | PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3 | 当前型号 | |
型号: KSB1151YSTSTU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-126 PNP -60V -5A | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 60V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail | KSB1151YSTU和KSB1151YSTSTU的区别 | |
型号: KSB1151YSTSSTU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-126 PNP -60V -5A | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 60V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail | KSB1151YSTU和KSB1151YSTSSTU的区别 |