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KSB1151YSTU

KSB1151YSTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3


得捷:
TRANS PNP 60V 5A TO126-3


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


富昌:
PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Win Source:
TRANS PNP 60V 5A TO-126


KSB1151YSTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -5.00 A

极性 PNP

耗散功率 1300 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 160 @2A, 1V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

宽度 3.25 mm

高度 11.2 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSB1151YSTU引脚图与封装图
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在线购买KSB1151YSTU
型号 制造商 描述 购买
KSB1151YSTU Fairchild 飞兆/仙童 PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3 搜索库存
替代型号KSB1151YSTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KSB1151YSTU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-126 PNP -60V -5A 1300mW

当前型号

PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3

当前型号

型号: KSB1151YSTSTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-126 PNP -60V -5A

完全替代

Trans GP BJT PNP 60V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail

KSB1151YSTU和KSB1151YSTSTU的区别

型号: KSB1151YSTSSTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-126 PNP -60V -5A

类似代替

Trans GP BJT PNP 60V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail

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