KSA1175GTA
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSA1175GTA中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 700
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4 mm
宽度 2.31 mm
高度 3.7 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSA1175GTA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买KSA1175GTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSA1175GTA | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Transistor | 搜索库存 |
替代型号KSA1175GTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSA1175GTA 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92-3 PNP | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Transistor | 当前型号 |
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| 型号： 2SA733G-P-AE3-R 品牌： 友顺 封装： | 功能相似 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | KSA1175GTA和2SA733G-P-AE3-R的区别 |