极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSP93BU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-226-3 PNP | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 200V 0.5A 3Pin TO-92 Bulk | 当前型号 | |
型号: KSP93TA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -200V -500mA | 完全替代 | KSP92 / 93 PNP外延硅晶体管 KSP92/93 PNP Epitaxial Silicon Transistor | KSP93BU和KSP93TA的区别 | |
型号: MPSA93-AP 品牌: 美微科 封装: TO-92 PNP 625mW | 功能相似 | TO-92 PNP 200V 0.5A | KSP93BU和MPSA93-AP的区别 | |
型号: KST93MTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -200V -500mA 0.25W | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 200V 0.5A 3Pin SOT-23 T/R | KSP93BU和KST93MTF的区别 |