额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSP8099TA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 80V 500mA | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3Pin TO-92 Ammo | 当前型号 | |
型号: KSP8099TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 80V 500mA 0.625W | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial | KSP8099TA和KSP8099TF的区别 | |
型号: KSP8099BU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 80V 500mA | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3Pin TO-92 Bulk | KSP8099TA和KSP8099BU的区别 | |
型号: MPS8099RLRAG 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 80V 500mA 625mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MPS8099RLRAG 双极性晶体管 | KSP8099TA和MPS8099RLRAG的区别 |