KSP45TA
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSP45TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 350 V
额定电流 300 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 10V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSP45TA引脚图与封装图
暂无图片
替代型号KSP45TA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSP45TA 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 350V 300mA | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： KSP45TA_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | NPN Epitaxial Silicon Transistor | KSP45TA和KSP45TA_NL的区别 |