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KSP13BU
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Darlington Transistor

• Collector-Emitter Voltage: VCES=30V

• Collector Power Dissipation: PC max=625mW


欧时:
### 复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington


艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 500mA; 625mW; TO92


Verical:
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk


Win Source:
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92


KSP13BU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 500 mA

额定功率 625 mW

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 5000

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 0.625 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSP13BU引脚图与封装图
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在线购买KSP13BU
型号 制造商 描述 购买
KSP13BU Fairchild 飞兆/仙童 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号KSP13BU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KSP13BU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 30V 500mA 625mW

当前型号

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: MPSA13G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 30V 500mA 625mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MPSA13G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 625 mW, 500 mA, 10000 hFE

KSP13BU和MPSA13G的区别