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KST56MTF
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PNP外延硅晶体管驱动晶体管补充型KST06

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 50 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP Epitaxial Silicon Transistor Driver Transistor Complement to KST06 描述与应用| PNP外延硅 驱动晶体管 补充型KST06

KST56MTF中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KST56MTF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
KST56MTF Fairchild 飞兆/仙童 PNP外延硅晶体管驱动晶体管补充型KST06 搜索库存
替代型号KST56MTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KST56MTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -80V -500mA 350mW

当前型号

PNP外延硅晶体管驱动晶体管补充型KST06

当前型号

型号: MMBTA56LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -80V -500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT1G.  双极性晶体管, PNP -80V SOT-23

KST56MTF和MMBTA56LT1G的区别

型号: MMBTA56-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23 PNP 80V 100mA 300mW

功能相似

MMBTA56-7-F 编带

KST56MTF和MMBTA56-7-F的区别

型号: MMBTA56LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -80V -500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT3G  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

KST56MTF和MMBTA56LT3G的区别