频率 50 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KST56MTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -80V -500mA 350mW | 当前型号 | PNP外延硅晶体管驱动晶体管补充型KST06 | 当前型号 | |
型号: MMBTA56LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -80V -500mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA56LT1G. 双极性晶体管, PNP -80V SOT-23 | KST56MTF和MMBTA56LT1G的区别 | |
型号: MMBTA56-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 PNP 80V 100mA 300mW | 功能相似 | MMBTA56-7-F 编带 | KST56MTF和MMBTA56-7-F的区别 | |
型号: MMBTA56LT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -80V -500mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA56LT3G 单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE | KST56MTF和MMBTA56LT3G的区别 |