频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 35
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KST2222AMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST2222AMTF 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 35 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KST2222AMTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST2222AMTF 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 35 hFE | 当前型号 | |
型号: MMBT2222A 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 40V 500mA 350mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2222A 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 1 A, 300 hFE | KST2222AMTF和MMBT2222A的区别 | |
型号: MMBT2222AK 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW | 类似代替 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | KST2222AMTF和MMBT2222AK的区别 |