KSD261CGTA
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSD261CGTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSD261CGTA引脚图与封装图
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在线购买KSD261CGTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSD261CGTA | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor | 搜索库存 |
替代型号KSD261CGTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSD261CGTA 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 20V 500mA 500mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor | 当前型号 |
| 型号： KSD261GTA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 20V 500mA | 类似代替 | 低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier | KSD261CGTA和KSD261GTA的区别 |
| 型号： KSD261CGTA_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier | KSD261CGTA和KSD261CGTA_NL的区别 |