KST06MTF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KST06MTF中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KST06MTF引脚图与封装图
暂无图片
替代型号KST06MTF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KST06MTF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 80V 500mA 350mW | 当前型号 | NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： MMBTA14 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 30V 1.2A 350mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE | KST06MTF和MMBTA14的区别 |
| 型号： MMBTA06LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 80V 500mA 300mW | 功能相似 | NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | KST06MTF和MMBTA06LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA06-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 NPN 80V 500mA 300mW | 功能相似 | MMBTA06-7-F 编带 | KST06MTF和MMBTA06-7-F的区别 |