
频率 200 MHz
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 350 mW
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KST4403MTF | Fairchild 飞兆/仙童 | PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KST4403MTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -40V -600mA 0.35W | 当前型号 | PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 | |
型号: MMBT4403K 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -40V -600mA | 完全替代 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | KST4403MTF和MMBT4403K的区别 | |
型号: MMBT4403 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -40V -600mA 350mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT4403 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE | KST4403MTF和MMBT4403的区别 | |
型号: MMBT4403_D87Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-236-3 PNP 350mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3Pin SOT-23 T/R | KST4403MTF和MMBT4403_D87Z的区别 |