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KSC1845FTA

KSC1845FTA

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC1845FTA  单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 500 mW, 50 mA, 300 hFE

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor offers 120V collector base voltage and 50mA collector current. It is suitable for audio frequency low-noise amplifier applications.

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Complement to KSA992

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin TO-92 Ammo


安富利:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin TO-92 Ammo


富昌:
KSC1845 系列 120 V 50 mA 通孔 NPN 外延硅晶体管-TO-92-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin TO-92 Ammo


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC1845FTA  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 120 V, 110 MHz, 500 mW, 50 mA, 300


Win Source:
TRANS NPN 120V 0.05A TO-92


KSC1845FTA中文资料参数规格
技术参数

频率 110 MHz

额定电压DC 120 V

额定电流 50.0 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 500 mW

增益频宽积 110 MHz

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 1200

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSC1845FTA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
KSC1845FTA Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC1845FTA  单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 500 mW, 50 mA, 300 hFE 搜索库存