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KST5179MTF

KST5179MTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

RF晶体管放大器NPN外延硅晶体管

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 12V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 50mA

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 900MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 25

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V

耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W

Description & Applications| RF Amplifier Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor

描述与应用| RF放大器 NPN外延硅晶体管

KST5179MTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 50.0 mA

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 15 dB

最小电流放大倍数hFE 25 @3mA, 1V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KST5179MTF引脚图与封装图
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