频率 200 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
KST2907AMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST2907AMTF 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 50 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: KST2907AMTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -60V -600mA 350mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST2907AMTF 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 50 hFE | 当前型号 | |
型号: MMBT2907AK 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -60V -600mA | 完全替代 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | KST2907AMTF和MMBT2907AK的区别 | |
型号: MMBT2907ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -60V -600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE | KST2907AMTF和MMBT2907ALT1G的区别 | |
型号: MMBT2907A-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 PNP 60V 150mA 350mW | 功能相似 | 三极管 | KST2907AMTF和MMBT2907A-7-F的区别 |