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KSC1008GTA

KSC1008GTA

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor

Features

• Low frequency amplifier medium speed switching.

• High Collector-Base Voltage : VCBO=80V.

• Collector Current : IC=700mA

• Collector Power Dissipation : PC=800mW

• Suffix “-C” means Center Collector 1.Emitter 2.Collector 3.Base

• Non suffix “-C” means Side Collector 1.Emitter 2.Base 3.Collector

• Complement to KSA708


得捷:
TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Ammo


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Ammo


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Ammo


KSC1008GTA中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 700 mA

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSC1008GTA引脚图与封装图
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