
额定电压DC 50.0 V
额定电流 10.0 mA
极性 N-Channel
耗散功率 100 mW
漏源极电压Vds 50.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 mA
击穿电压 50 V
输入电容Ciss 8.2pF @0VVds
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 125℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSK30YBU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 50V 10mA 100mW | 当前型号 | JFET N-CH 50V 0.1W1/10W TO92 | 当前型号 | |
型号: 2N7002ET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | KSK30YBU和2N7002ET1G的区别 | |
型号: DMG6968U-7 品牌: 美台 封装: SOT23-3 N-Channel 20V 6.5A | 功能相似 | DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3 | KSK30YBU和DMG6968U-7的区别 | |
型号: BSS131 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23 N-Channel 240V 100mA | 功能相似 | INFINEON BSS131 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 240 V, 7.7 ohm, 10 V, 1.4 V | KSK30YBU和BSS131的区别 |