频率 50 MHz
额定电压DC 300 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KST42MTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 300V 500mA 350mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST42MTF 晶体管, NPN | 当前型号 | |
型号: MMBTA42 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 300V 500mA 240mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE | KST42MTF和MMBTA42的区别 | |
型号: MMBTA42_D87Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor High Voltage | KST42MTF和MMBTA42_D87Z的区别 | |
型号: MMBTA42LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 300V 500mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA42LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE | KST42MTF和MMBTA42LT1G的区别 |