KSC900LTA
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSC900LTA中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
集电极击穿电压 30.0 V
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 350 @500µA, 3V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSC900LTA引脚图与封装图
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在线购买KSC900LTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSC900LTA | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor | 搜索库存 |
替代型号KSC900LTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSC900LTA 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 25V 50mA 0.25W | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor | 当前型号 |
| 型号： MPS5172RLRMG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 25V 100mA 625mW | 功能相似 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistor NPN Silicon | KSC900LTA和MPS5172RLRMG的区别 |