击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-18
封装 TO-18
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANSF2N2222A | Microsemi 美高森美 | BJT BiPolar Junction Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANSF2N2222A 品牌: Microsemi 美高森美 封装: | 当前型号 | BJT BiPolar Junction Transistor | 当前型号 | |
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