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JANSF2N2222A

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Microsemi(美高森美) 电子元器件分类

BJT BiPolar Junction Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18


JANSF2N2222A中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

JANSF2N2222A引脚图与封装图
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型号: JANSF2N2222A

品牌: Microsemi 美高森美

封装:

当前型号

BJT BiPolar Junction Transistor

当前型号

型号: 2N2222A

品牌: 美高森美

封装: TO-18 0.5W

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型号: JANS2N2222AL

品牌: 美高森美

封装:

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Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18

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