JAN2N3866
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JAN2N3866中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1000 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
JAN2N3866引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3866 | Microsemi 美高森美 | NPN Transistor | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3866
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3866 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | NPN Transistor | 当前型号 |
| 型号： 2N3866 品牌： Solid State Devices 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A IC, 1Element, Silicon, NPN, TO-39, TO-39, 3Pin | JAN2N3866和2N3866的区别 |