JANSR2N7382
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANSR2N7382中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-257
外形尺寸
封装 TO-257
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JANSR2N7382引脚图与封装图
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在线购买JANSR2N7382
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANSR2N7382 | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3Pin3+Tab TO-257AA | 搜索库存 |
替代型号JANSR2N7382
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANSR2N7382 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-257 | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3Pin3+Tab TO-257AA | 当前型号 |
| 型号： JANSF2N7382 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 11A ID, 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | JANSR2N7382和JANSF2N7382的区别 |