JANTXV2N3251A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3251A中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.36 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.2A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JANTXV2N3251A引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3251A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3251A | Microsemi 美高森美 | TO-39 PNP 60V 0.2A | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3251A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3251A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 PNP | 当前型号 | TO-39 PNP 60V 0.2A | 当前型号 |
| 型号： 2N3251A 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Transistors TO-18 Case | JANTXV2N3251A和2N3251A的区别 |