JAN1N6116US
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N6116US中文资料参数规格
技术参数
最大反向电压（Vrrm） 20.6V
脉冲峰值功率 500 W
最小反向击穿电压 24.42 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SQ-MELF
外形尺寸
封装 SQ-MELF
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN1N6116US引脚图与封装图 
JAN1N6116US引脚图
JAN1N6116US封装图
JAN1N6116US封装焊盘图
在线购买JAN1N6116US
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N6116US | Microsemi 美高森美 | E-MELF 20.6V 500W | 搜索库存 |
替代型号JAN1N6116US
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N6116US 品牌： Microsemi 美高森美 封装： E-MELF | 当前型号 | E-MELF 20.6V 500W | 当前型号 |
| 型号： JANTX1N6116US 品牌： 美高森美 封装： B_SQ._MELF | 完全替代 | TVS 500W B SQ-MELF SMD | JAN1N6116US和JANTX1N6116US的区别 |
| 型号： JANTXV1N6116US 品牌： 美高森美 封装： B_SQ._MELF | 完全替代 | TVS 500W B SQ-MELF SMD | JAN1N6116US和JANTXV1N6116US的区别 |
| 型号： 1N6116US 品牌： 美高森美 封装： B_SQ._MELF | 完全替代 | Tvs Diode 20.6vwm Sqmelf | JAN1N6116US和1N6116US的区别 |
