JAN1N3823D-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
容差 ±1 %
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
稳压值 3.9 V
额定功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
封装 DO-213AB-2
长度 5.2 mm
封装 DO-213AB-2
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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