JANTXV1N4100D

Microsemi 美高森美电子元器件分类

硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435

• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C

Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C

Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum

JANTXV1N4100D中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500 mW

稳压值 7.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Obsolete

JANTXV1N4100D引脚图与封装图

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