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JANTXV1N4108D

Microsemi 美高森美 电子元器件分类
JANTXV1N4108D中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

稳压值 14 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Obsolete

JANTXV1N4108D引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTXV1N4108D Microsemi 美高森美 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES 搜索库存
替代型号JANTXV1N4108D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTXV1N4108D

品牌: Microsemi 美高森美

封装:

当前型号

硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

当前型号

型号: 1N5244B

品牌: NTE Electronics

封装:

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型号: 1N5244B-35

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封装:

功能相似

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