JANTXV1N4103D
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JANTXV1N4103D中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
稳压值 9.1 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Obsolete
JANTXV1N4103D引脚图与封装图
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在线购买JANTXV1N4103D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV1N4103D | Microsemi 美高森美 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JANTXV1N4103D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV1N4103D 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： JANTX1N4103C-1 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 功能相似 | Diode Zener 9.1V 0.5W1/2W Do35 | JANTXV1N4103D和JANTX1N4103C-1的区别 |
| 型号： 1N4103 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | 0.5W1/2W Silicon Zener Diodes | JANTXV1N4103D和1N4103的区别 |
