JANTX1N3064
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANTX1N3064中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @10mA
反向恢复时间 4 ns
正向电流Max 0.075 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-7
外形尺寸
封装 DO-7
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTX1N3064引脚图与封装图
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在线购买JANTX1N3064
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX1N3064 | Microsemi 美高森美 | DIODE GEN PURP 50V 750mA DO7 | 搜索库存 |
替代型号JANTX1N3064
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX1N3064 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-7 | 当前型号 | DIODE GEN PURP 50V 750mA DO7 | 当前型号 |
| 型号： 1N3064M 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 球团二极管 PELLET DIODES | JANTX1N3064和1N3064M的区别 |
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