JANTXV1N1188R
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV1N1188R中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.4V @110A
封装参数
封装 DO-203AB
外形尺寸
封装 DO-203AB
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
军工级 Yes
JANTXV1N1188R引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV1N1188R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV1N1188R | Microsemi 美高森美 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 搜索库存 |
替代型号JANTXV1N1188R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV1N1188R 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~0.8°C/W | 当前型号 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 当前型号 |
| 型号： NTE5991 品牌： NTE Electronics 封装： | 类似代替 | Diode 400V 40A 2Pin DO-5 | JANTXV1N1188R和NTE5991的区别 |
